Exact solution of hydrogen passivation of silicon problem
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Passivation of copper in silicon by hydrogen
The structures and energies of model defects consisting of copper and hydrogen in silicon are calculated using the AIMPRO local-spin-density functional method. For isolated copper atoms, the lowest energy location is at the interstitial site with Td symmetry. Substitutional copper atoms are found to adopt a configuration with D2d symmetry. We conclude that the symmetry is lowered from Td due to...
متن کاملSolution-processed amorphous silicon surface passivation layers
Amorphous silicon thin films, fabricated by thermal conversion of neopentasilane, were used to passivate crystalline silicon surfaces. The conversion is investigated using X-ray and constant-final-state-yield photoelectron spectroscopy, and minority charge carrier lifetime spectroscopy. Liquid processed amorphous silicon exhibits high Urbach energies from 90 to 120 meV and 200 meV lower optical...
متن کاملsolution of security constrained unit commitment problem by a new multi-objective optimization method
چکیده-پخش بار بهینه به عنوان یکی از ابزار زیر بنایی برای تحلیل سیستم های قدرت پیچیده ،برای مدت طولانی مورد بررسی قرار گرفته است.پخش بار بهینه توابع هدف یک سیستم قدرت از جمله تابع هزینه سوخت ،آلودگی ،تلفات را بهینه می کند،و هم زمان قیود سیستم قدرت را نیز برآورده می کند.در کلی ترین حالتopf یک مساله بهینه سازی غیر خطی ،غیر محدب،مقیاس بزرگ،و ایستا می باشد که می تواند شامل متغیرهای کنترلی پیوسته و گ...
the problem of divine hiddenness
این رساله به مساله احتجاب الهی و مشکلات برهان مبتنی بر این مساله میپردازد. مساله احتجاب الهی مساله ای به قدمت ادیان است که به طور خاصی در مورد ادیان ابراهیمی اهمیت پیدا میکند. در ادیان ابراهیمی با توجه به تعالی خداوند و در عین حال خالقیت و حضور او و سخن گفتن و ارتباط شهودی او با بعضی از انسانهای ساکن زمین مساله ای پدید میاید با پرسشهایی از قبیل اینکه چرا ارتباط مستقیم ویا حداقل ارتباط وافی به ب...
15 صفحه اولPECVD SINx INDUCED HYDROGEN PASSIVATION IN STRING RIBBON SILICON
To improve the bulk minority carrier lifetime in String Ribbon silicon, SiNx induced defect passivation during a post deposition anneal is investigated. Our results indicate that SiNx induced hydrogen passivation is very effective when the SiNx film is annealed in conjunction with a screen-printed AI layer on the back. In addition, it is found that controlled rapid cooling can be used to enhanc...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Physical Studies
سال: 2000
ISSN: 1027-4642,2310-0052
DOI: 10.30970/jps.04.73